SK Hynix investiert 14 Milliarden Euro für KI-Speicher-Führerschaft

SK Hynix setzt mit einer milliardenschweren Investition ein klares Zeichen im globalen Wettlauf um KI-Speicher. Der südkoreanische Halbleiterriese baut für rund 14 Milliarden Euro eine neue Hochtechnologie-Fabrik für die Verpackung von Chips. Das Ziel: Die Produktion von Hochleistungsspeichern für Künstliche Intelligenz massiv ausbauen.

Strategischer Schachzug im KI-Boom

Die Ankündigung dieser Woche ist eine direkte Antwort auf den explosionsartig wachsenden Bedarf an Speicherlösungen für KI-Systeme. Mit dem neuen Werk P&T7 in Cheongju will das Unternehmen seine Kapazitäten für High-Bandwidth Memory (HBM) und die neue 321-Lagen-NAND-Technologie deutlich erhöhen. Die Fabrik, deren Bau im April 2026 beginnen soll, wird bis Ende 2027 fertiggestellt sein. Sie ist der physische Kernstück einer Strategie, mit der SK Hynix zum führenden „Full-Stack“-Anbieter für KI-Speicher aufsteigen will.

Warum ist diese Investition so bedeutend? Die fortschrittliche Verpackung und das Testen der Chips sind längst kein Nebenschauplatz mehr. Für komplexe Produkte wie HBM, bei denen mehrere DRAM-Chips gestapelt werden, oder für Hochleistungs-SSDs mit Dutzenden NAND-Chips entscheidet dieser letzte Schritt maßgeblich über Leistung und Energieeffizienz. Die neue Fabrik entsteht in unmittelbarer Nähe zu bestehenden Fertigungslinien – ein integrierter Cluster, der Engpässe vermeiden und die Produktion beschleunigen soll.

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321-Lagen-NAND: Die neue Speicher-Revolution

Im Zentrum der Ambitionen steht eine bahnbrechende Technologie: der 321-lagige 4D-NAND-Flashspeicher. Diesen Chip, der erstmals 2025 detailliert wurde, hat SK Hynix bereits seit August 2025 in Massenproduktion. Er ist der erste seiner Art in der Branche, der die 300-Lagen-Marke mit QLC-Technologie durchbricht.

Was bedeutet das konkret? Die Speicherdichte pro Chip verdoppelt sich im Vergleich zur Vorgängergeneration. Um die Leistung trotz der hohen Kapazität zu steigern, haben die Ingenieure die Architektur grundlegend überarbeitet. Die Zahl der unabhängigen Operationseinheiten wurde von vier auf sechs erhöht. Das Ergebnis: Die Datenübertragungsgeschwindigkeit ist doppelt so hoch, die Schreibleistung steigt um bis zu 56 Prozent und die Leseleistung um 18 Prozent. Gleichzeitig verbessert sich die Energieeffizienz beim Schreiben um 23 Prozent – ein entscheidender Vorteil für rechenintensive KI-Rechenzentren.

Die ersten kommerziellen Produkte mit dieser Technologie werden für die erste Hälfte 2026 erwartet, zunächst für PC-SSDs, später für Unternehmensserver und KI-Anwendungen.

Vom Terabyte zum Petabyte: Die „AI-NAND“-Strategie

Der neue Chip ist die Grundlage für die umfassende „AI-NAND (AIN) Family“-Strategie, die das Unternehmen Ende 2025 vorstellte. Statt universeller SSDs entwickelt SK Hynix nun spezifische Produktlinien für verschiedene KI-Arbeitslasten. Die Strategie gliedert sich in drei Bereiche:

• AIN P (Performance): Für Hochgeschwindigkeits-Anwendungen wie KI-Inferenz, mit dem Ziel von bis zu 100 Millionen IOPS bis 2027.
• AIN B (Bandwidth): Nutzt High Bandwidth Flash (HBF), um Speicherlücken in großen Sprachmodellen zu schließen.
• AIN D (Density): Hier kommt die neue 321-Lagen-NAND-Technologie zum Tragen. Das Ziel ist ehrgeizig: Die Speicherung von Petabytes an KI-Daten zu wirtschaftlichen Kosten ermöglichen. Diese Linie soll den Unternehmensspeicher von der heutigen Terabyte- auf die Petabyte-Skala heben und die Vorteile von SSDs (schneller Zugriff) mit der Kapazität von Festplatten verbinden.

Ausblick: Rüstungswettlauf im Halbleitersektor

Die Investition von SK Hynix unterstreicht einen tiefgreifenden Wandel in der gesamten Halbleiterindustrie, der vollständig von der KI getrieben wird. Während die Rechenleistung von Prozessoren wie denen von Nvidia oft im Rampenlicht steht, wird der Speicher zunehmend zum kritischen Engpass. Je komplexer die KI-Modelle und je größer die Datensätze werden, desto wichtiger werden leistungsstarke, effiziente und hochkapazitive Speicherlösungen.

Mit der P&T7-Fabrik, die 2028 voll operativ sein soll, bereitet sich SK Hynix auf die prognostizierte Nachfrage der kommenden Jahre vor. Der Rollout der 321-Lagen-NAND-Produkte 2026 wird ein erster Beweis für die technologische Führungsrolle sein. Gleichzeitig arbeitet das Unternehmen bereits an der nächsten Generation, darunter Hybrid-Bonding-Architekturen für seine V10-NAND, die bis 2027 in die Massenproduktion gehen sollen. Das Tempo der Innovation, unterstützt durch massive Kapitalinvestitionen, zeigt: Der Kampf um die Vorherrschaft im KI-Zeitalter wird auch im Speicher entschieden.

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