Herzogenrath - AIXTRON (FSE: AIXA) hat den Deutschen Innovationspreis gewonnen.

Seit 2010 wird die Auszeichnung an Unternehmen verliehen, die mit ihren Innovationen und Technologien die Wettbewerbsfähigkeit Deutschlands gewährleisten und maßgeblich dazu beitragen, große globale Herausforderungen zu lösen.

Für AIXTRON nahm Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE, die Auszeichnung in Empfang: "Es ist mir eine große Ehre, diesen wichtigen Preis für AIXTRON und damit stellvertretend für unser gesamtes Team entgegenzunehmen. Der Deutsche Innovationspreis ist nicht nur eine Anerkennung für die Innovationen, die wir geschaffen haben, sondern auch ein Zeugnis für die erstklassige Arbeit und das Engagement unseres Teams. Mit unserer neuen G10-Produktfamilie setzen wir in der Halbleiterindustrie neue Maßstäbe bei Produktivität und Leistung. Damit tragen wir dazu bei, CO2-Emissionen zu reduzieren und - indem wir einen schnelleren, umfassenderen Datenaustausch zwischen den Menschen ermöglichen - legen wir den Grundstein für die digitale Gesellschaft der Zukunft."

Das Hightech-Unternehmen AIXTRON aus Herzogenrath (Deutschland) ist Weltmarktführer für Halbleiter-Depositionstechnologie auf Basis von MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition). Die von AIXTRON hergestellten Produktionsanlagen werden zur Produktion von Verbindungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) oder Galliumarsenid (GaAs) eingesetzt. Mit der neuen G10-Produktfamilie, die seit 2022 auf dem Markt ist, hat AIXTRON entscheidend dazu beigetragen, Verbindungshalbleiter auf breiter Basis kommerziell verfügbar zu machen. In der Vergangenheit wurden Verbindungshalbleiter nur in Spezialanwendungen der Optoelektronik eingesetzt, zum Beispiel für die Datenübertragung mittels Laser und in LEDs für die klassische Beleuchtung.

Durch Verbesserungen bei der Produktivität und den Kosten ist der Einsatz von Verbindungshalbleitern nun für eine Vielzahl von Anwendungen kommerziell nutzbar. Das trägt zur Dekarbonisierung und Digitalisierung der Wirtschaft bei: Verbindungshalbleiter auf SiC-Basis sorgen für eine größere Reichweite in Elektrofahrzeugen, GaN-basierte Halbleiter senken den Stromverbrauch und die CO2-Emissionen in Rechenzentren, und GaAs-basierte Bauelemente bilden das Rückgrat der modernen Datenkommunikation: Sie bewältigen nicht nur die enorm wachsenden Datenmengen aus vernetzten Geräten aus dem sognannten "Internet der Dinge", sondern demnächst auch innerhalb der modernsten KI-Chips.

"Diese Auszeichnung ist ein Beleg für die hervorragenden Ergebnisse, die AIXTRON in enger Zusammenarbeit mit seinen Kunden erzielt hat - nicht nur in Bezug auf die Leistung, sondern auch hinsichtlich der Produktivität und der Kosten. Das hat seinen Weg in eine Vielzahl an neuen Anwendungen gefunden. Die Grundlage hierfür ist die hervorragende Arbeit unserer Kolleginnen und Kollegen bei AIXTRON weltweit - von der Simulation, dem Labor, der Entwicklung neuer Systemkomponenten bis hin zu Vertrieb und Kundendienst. Die G10-Produktfamilie ist ein perfektes Beispiel dafür, wie wir bei AIXTRON die Grenzen dessen, was mit neuen Technologien möglich ist, immer weiter verschieben", sagte Prof. Dr. Michael Heuken, Vice President Advanced Technologies, AIXTRON SE, der den Preis mit AIXTRON-CEO Grawert entgegengenommen hat.

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichteten Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.

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