Universität Cambridge setzt auf AIXTRON für 2D-Photonik-Bauelemente der nächsten Generation EQS-Media / 15.07.2025 / 07:30 CET / CEST Universität Cambridge setzt auf AIXTRON für 2D-Photonik-Bauelemente der nächsten Generation Herzogenrath, 15.

Universität Cambridge setzt auf AIXTRON für 2D-Photonik-Bauelemente der nächsten Generation

EQS-Media / 15.07.2025 / 07:30 CET/CEST

Universität Cambridge setzt auf AIXTRON für 2D-Photonik-Bauelemente der
nächsten Generation

Herzogenrath, 15. Juli 2025 - Die Universität Cambridge in Großbritannien
hat von AIXTRON SE (FSE: AIXA) eine Close Coupled Showerhead®-Anlage für die
Forschung und Entwicklung im Bereich Photonik und Optoelektronik erworben.
Die AIXTRON-Anlage ermöglicht das Wachstum von
Nicht-Graphen-Schichtmaterialien, auch als "Layered Materials" oder 2D
Materialien bezeichnet, auf ganzen Wafern. Dies wiederum ermöglicht eine
Integration mit Siliziumphotonik, so dass hocheffiziente, schnelle optische
Datenkommunikationsbauelemente hergestellt werden können.

AIXTRONs Close Coupled Showerhead®-Anlage (CCS) in einer 200-mm-Ausführung
wird derzeit im Cambridge Graphene Centre installiert und für die britische
Layered Materials Research Foundry (LMRF) eingesetzt. Das LMRF wird seine
Forschung auf Graphen und andere Nicht-Graphen-Schichtmaterialien ("Layered
Materials", LMs) konzentrieren. Ziel ist es, eine voll integrierte
Silizium-Photonik-Plattform zu entwickeln. Die CCS-Anlage von AIXTRON wurde
für diese Pilotlinie ausgewählt, da sie derzeit die einzige Anlage ist, die
einen nahtlosen Prozesstransfer und eine Skalierung auf 300 mm sowie die
Massenfertigung von LMs ermöglicht. Zudem erlauben AIXTRON's proprietäre
ARGUS-Wafer-Temperaturregelung sowie der Konzentrationsmonitor Epison® (für
die präzise Zufuhr der Quellenmaterialien) im Labor Produktionsbedingungen
wie in der Serienfertigung.

"Wir arbeiten seit vielen Jahren eng mit AIXTRON zusammen, wodurch wir
unsere Forschung und Entwicklung im Bereich der Layered Materials
vorantreiben konnten. Das CCS-System von AIXTRON, das wir derzeit in unserem
Cambridge Graphene Centre installieren, wird zur Abscheidung von LMs für
optische Transceiver und Modulatoren verwendet, die für
Hochgeschwindigkeitsdatenanwendungen wie 5G/6G sowie für optische
Verbindungen und Schalter für energieeffiziente KI-Hardware der nächsten
Generation eingesetzt werden sollen", sagt Prof. Andrea Ferrari vom Institut
für Nanotechnologie der Universität Cambridge.

"2D-Schichten bieten enorme Möglichkeiten in der Photonik, Optoelektronik
und Nanoelektronik. Wir freuen uns, dass die Universität Cambridge bei ihrer
weltweit führenden Forschung im Bereich Nanotechnologie auf AIXTRON setzt,
um das Potenzial dieser Materialien auszuschöpfen. Damit tragen wir dazu
bei, die nächste Generation optischer und elektronischer Bauelemente zu
entwickeln", sagt Dr. Felix Grawert, CEO AIXTRON SE.

Ansprechpartner

Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von
Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983
gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die
Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten
Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für
elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von
Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese
Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien
und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und
Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und
-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere
anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic
Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R),
EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R),
PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im
Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die
Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe
wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen",
"beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen",
Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese
zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichteten Aussagen geben die
gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON
Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches
liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und
Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder
Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen
zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass
Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse,
Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen
abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage
genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum
Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang
der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der
endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima
und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen
Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld,
Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen,
Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und
Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine
Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,
Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen
bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung
der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die
AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt
Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei
Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der
englischen Übersetzung vor.


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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Forschung/Technologie

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   Sprache:        Deutsch
   Unternehmen:    AIXTRON SE
                   Dornkaulstraße 2
                   52134 Herzogenrath
                   Deutschland
   Telefon:        +49 (2407) 9030-0
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   E-Mail:         invest@aixtron.com
   Internet:       www.aixtron.com
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   WKN:            A0WMPJ
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