Der Chipindustrieausrüster Aixtron DE000A0WMPJ6 sieht im Fortschritt von Infineon DE0006231004 bei der Fertigung von Halbleitern auf Galliumnitrid-Basis (GaN) seine Erwartung eines starken Marktwachstums untermauert.

Der Chiphersteller hatte am Vormittag mitgeteilt, 300-Millimeter-GaN-Wafer auf einer Pilotlinie in der bestehenden 300-Millimeter-Siliziumproduktion hergestellt zu haben. Das hatte an der Börse zu reichlich Fragen mit Blick auf Aixtrons Produktangebot geführt. Aixtron betonte auf Anfrage, dass an Maschinen zur Fertigung von 300-Millimeter-Wafern gearbeitet werde und Pilotanlagen bei einigen Kunden stünden.

Aktuell stellen Chipkonzerne wie Infineon GaN-Wafer mit Durchmessern von 150 Millimeter, vor allem aber von 200 Millimetern her. Bei diesen Anlagen ist weltweit Aixtron führend, arbeitet aber auch am Nachfolger. Mit der wachsenden Nachfrage nach Elektronikchips auf GaN-Basis dürften Chiphersteller auf die Produktion von 300-Millimeter-Wafern umstellen, denn aus ihnen kann knapp die 2,3-Menge Chips gewonnen werden, was Kostenvorteile bringt.

So haben Leistungs- und Hochfrequenz-Elektronikchips auf GaN-Basis klassische Siliziumteile in Schnelllade-Netzteilen etwa von Smartphones mittlerweile ersetzt. Sie spielen zudem eine zunehmend wichtige Rolle bei KI-Servern, in Solaranlagen sowie in der Elektromobilität, denn sie sind kleiner und temperaturbeständiger und damit effizienter als klassischer Siliziumchips.

Nach den Äußerungen von Aixtron am Nachmittag machten die Papiere einen guten Teil ihrer Kursverluste von bis zu rund 10 Prozent wett. Kurz vor Handelsschluss notierten sich noch 3 Prozent im Minus.