AIXTRON beteiligt sich an Forschungsprojekt für mehr Energieeffizienz bei der Produktion von SiC-Schichten EQS-Media / 03.07.2025 / 07:30 CET / CEST AIXTRON beteiligt sich an Forschungsprojekt für mehr Energieeffizienz bei der Produktion von SiC-Schichten Herzogenrath, 03.07.2025 - AIXTRON SE (FSE: AIXA), das Fraunhofer IISB in Erlangen sowie die bimanu Cloud Solutions GmbH in Neuss werden gemeinsam die Energieeffizienz bei der Produktion von Halbleiterschichten auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) verbessern.
03.07.2025 - 07:30:33EQS-News: AIXTRON beteiligt sich an Forschungsprojekt für mehr Energieeffizienz bei der Produktion von SiC-Schichten (deutsch)
AIXTRON beteiligt sich an Forschungsprojekt für mehr Energieeffizienz bei der Produktion von SiC-Schichten
EQS-Media / 03.07.2025 / 07:30 CET/CEST
AIXTRON beteiligt sich an Forschungsprojekt für mehr Energieeffizienz bei
der Produktion von SiC-Schichten
Herzogenrath, 03.07.2025 - AIXTRON SE (FSE: AIXA), das Fraunhofer IISB in
Erlangen sowie die bimanu Cloud Solutions GmbH in Neuss werden gemeinsam die
Energieeffizienz bei der Produktion von Halbleiterschichten auf Basis von
Siliziumkarbid (SiC) verbessern. Dazu kooperieren die Partner in dem vom
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) geförderten Projekt
"Steigerung der Energieeffizienz bei der SiC-Epitaxie", das AIXTRON leitet.
Ziel des 28,4 Millionen Euro teuren Projekts ist es, die Ressourceneffizienz
(Wasser- und Energieverbrauch, Abfallmenge) bei der Produktion von
Schichtstrukturen aus SiC-Verbindungshalbleitern zu steigern. Dabei werden
KI-basierte Methoden sowohl für material- und energie-effiziente
Herstellungsprozesse als auch Produkte erforscht und entwickelt. Die
Potentiale hierbei sind groß: Es wird angestrebt, die benötigte elektrische
Energie pro Fläche bei der Herstellung von SiC-Halbleitern zu halbieren.
"Halbleiter auf Grundlage von SiC liefern etwa bei der Elektromobilität oder
erneuerbaren Energien eine deutlich bessere Energieeffizienz als
herkömmliches Silizium. Die Produktion von Halbleitern ist jedoch
grundsätzlich energieintensiv. Daher sehen wir hier einen besonders großen
Hebel, die Herstellung dieser zukunftsweisenden Technologien noch
effizienter zu gestalten und damit ihre Verbreitung sowie die grüne
Transformation voranzutreiben", erklärt Prof. Dr. Michael Heuken, VP
Advanced Technologies die Bedeutung des Vorhabens.
Auf Basis der Projektarbeit sollen etwa Produktionsabläufe verbessert und
Handlungsempfehlungen erforscht werden. Gerade in diesem Bereich wird die
Kompetenz von bimanu zum Einsatz kommen. Der Softwareanbieter ist
spezialisiert auf Datenintegration und Analysen in den Bereichen Business
Intelligenz, Marketing Analytics, Industrie 4.0 und Energiemanagement.
Das Fraunhofer IISB bringt seine einzigartige Kompetenz im Bereich SiC ein -
sei es bei Forschung und Entwicklung in dieser Materialklasse als auch bei
der Weiterentwicklung von Prozessen. So betreibt das Fraunhofer IISB die
einzige kontinuierliche 150 mm-SiC-Entwicklungslinie in Deutschland, die die
Nummer Eins in Europa und in den Top Fünf der Welt ist.
Der Schwerpunkt von AIXTRON innerhalb des Projekts wird es sein, die
Anlagentechnologie zu erforschen und damit die Anlagenentwicklung
voranzutreiben. Zu diesem Zweck werden mehrere Testanlagen aufgebaut und
betrieben. An diesen werden die Simulationsmodelle verifiziert und die Daten
und Modelle mit bimanu entwickelt und getestet.
Ansprechpartner
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail c.ludwig@aixtron.com
Über AIXTRON
Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von
Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983
gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die
Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten
Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für
elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von
Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese
Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien
und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und
Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und
-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere
anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic
Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R),
EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R),
PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)
Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im
Internet unter www.aixtron.com verfügbar.
Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die
Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe
wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen",
"beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen",
Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese
zukunftsgerichteten Aussagen. Solchezukunftsgerichtete Aussagen geben die
gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON
Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches
liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und
Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder
Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen
zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass
Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse,
Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen
abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage
genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum
Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang
der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der
endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima
und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen
Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld,
Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen,
Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und
Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine
Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,
Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen
bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung
der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die
AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt
Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.
Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei
Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der
englischen Übersetzung vor.
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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Forschung/Technologie
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2164140 03.07.2025 CET/CEST
